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额定电压(DC) |
650V |
寄生电容 |
650pF |
| 额定电流 | 2A | 电阻范围 | 4Ω~5Ω |
| PIP-MOS场效应管 | |
| 额定电压 | 650V |
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额定电流 |
2A |
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阻值范围 |
4Ω~5Ω |
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阈值电压（Vth） |
2V~4V |
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导通栅极电荷量（og,nc） |
9nc |
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寄生电容（Ciss） |
650pF |
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其它型号 |
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PSx04N65 |
650V_4A_（1.9~2.9）Ω_15nc_544pF |
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PSx04N65C |
650V_4A_（2.0~2.5）Ω_17.5nc_650pF |
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PSx04N65B |
650V_4A_（2.1~2.5）Ω_8.5nc_450pF |
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PTxOSN65 |
650V_5A_（2.0~2.5）Ω_17nc_650pF |
| PTx06N65C |
650V_6A_（1.55~1.85）Ω_16nc_660pF |
| P5x07N65 |
650V_7A_（1.1~1.4）Ω_25nc_1050pF |
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PTx07N65B |
650V_7A_（1.2~1.4）Ω_20nc_1120pF |
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PTx08N65 |
650V_8A_（0.95~1.3）Ω_28nc_1240pF |
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PTxlON65B |
650V_10A_（0.75~0.9）Ω_32nc_1660pF |
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PSxlON65C |
650V_10A_（0.7~0.85）Ω_43nc_1340pF |
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PTx12N65 |
650V_12A_（0.6~0.75）Ω_52nc_1900pF |
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PTxl3N65 |
650V_13A_（0.55~0.65）Ω_46nc_2130pF |
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PTx16N65 |
650V_16A_（0.45~0.55）Ω_54nc_2442pF |
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PTx20N6SA |
650V_20A_（0.33~0.5）Ω_65nc_2600pF |
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PTx26N65 |
650V_26A_（0.28~0.38）Ω_78nc_4200pF |
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PTW34N65 |
650V_34A_（0.13~0.19）Ω_150nc_7400pF |
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注解：例如，200V_9A_（0.3~0.25）Ω_16nc_670pF
1、200V为MOS额定电压；
2、9A为MOS额定电流；
3、（0.3~0.25）Ω为MOS阻值范围；
4、16nc为MOS栅极电荷Qg；
5、670pF为Ciss寄生电容；
封装类型
TO220 TO220F TO251 TO252 TO262 TO3P TO247
产品应用
产品应用领域广泛， 涵盖电子类多个领域， 如消费电子、智能家居、智能照明、工控设备、电动汽车等；
相关知识
1、Ciss寄生电容，最大限度降低开关损耗，提高转换效率，另外极低的寄生电容能够有效改善EMI电磁干扰。
2、RDSON为内阻，作为开关电源的主开关MOS，以上都能能够满足大部分的应用需求。
3、Qg(栅极电荷):栅极电荷Qg是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，是指MOS开关完全打开，Gate极所需要的电荷量。
4、Vth通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。
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